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AO3400結(jié)合先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)和低電阻封裝，提供極低的RDS(ON)，適用于負(fù)載開關(guān)或在PWM應(yīng)用。下面分別介紹一下ASEMI場效應(yīng)管AO3400概述，AO3400參數(shù)，AO3400特性曲線。

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AO3400概述

30V N溝道MOSFET

Vds 30V

Id（Vgs=10v情況下） 5.8A

Rds(ON) (Vgs=10v情況下) <28mΩ

Rds(ON) (Vgs=4.5v情況下) <33mΩ

Rds(ON) (Vgs=2.5v情況下) <52mΩ

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AO3400參數(shù)描述

型號：AO3400

封裝：SOT-23

電性參數(shù)：5.8A 30V

漏源電壓（Vds）：30v

柵源電壓 (Vgs)：±12v

連續(xù)漏極電流（Id 25°C）：5.8A

連續(xù)漏極電流（Id 70℃）：4.9A

功率損耗（PD 25℃）：1.4W

功率損耗（PD?70℃）：0.9W

結(jié)點(diǎn)和存儲溫度范圍（溫度范圍）：-55~150℃

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了解AO3400輸出特性曲線：

輸出特性曲線是在VDS之間不加其他負(fù)載的情況下繪制的，所以輸出特性曲線上的ID就是在UGS電壓下ID所能提供的最大電流。從原理上講，DS之間有一個電阻，由UGS和UDS控制，就是溝道。當(dāng)它工作在恒流區(qū)時，這個電阻只受UGS控制，所以當(dāng)工作在恒流區(qū)時，可以通過改變UGS來改變RDS的電阻，流過它的電流ID就會改變。

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實(shí)際控制過程實(shí)際上是通過UGS來控制溝道電阻的變化，電阻的變化引起電流ID的變化。在實(shí)際分析計算過程中，跳過了溝道控制環(huán)節(jié)，直接用gm低頻互導(dǎo)參數(shù)代替UGS與ID的變化關(guān)系，該參數(shù)取自轉(zhuǎn)移特性曲線。