薄膜沉積技術(shù)可以分為化學(xué)氣相沉積（CVD）和物理氣相沉積（PVD）。對于CVD工藝，這包括原子層沉積（ALD）和等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）。PVD沉積技術(shù)包括濺射，電子束和熱蒸發(fā)。CVD工藝包括使用等離子體將源材料與一種或多種揮發(fā)性前驅(qū)物混合以化學(xué)相互作用并使源材料分解。該工藝使用較高壓力的熱量，從而產(chǎn)生了更可再現(xiàn)的薄膜，其中薄膜厚度可以通過時間/功率來控制。這些薄膜的化學(xué)計量性更高，密度更高，并且能夠生長更高品質(zhì)的絕緣體薄膜。PVD處理使用通過某種電能氣化的固體前驅(qū)體金屬。然后將氣化的原子轉(zhuǎn)移到襯底上。該過程使用石英晶體速率監(jiān)控器控制膜的速率和厚度來管理厚度。抽氣室至較低的液位將減少背景氣體與預(yù)期的制膜工藝發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。

原子層沉積（ALD）

原子層沉積是一種化學(xué)氣相沉積技術(shù)，可以在原子層規(guī)模上進(jìn)行表面控制，均勻且優(yōu)異的保形膜生長。表面控制的薄膜生長是ALD的獨特功能，它基于氣相前體分子與活性表面物質(zhì)之間的順序性，自限性化學(xué)反應(yīng)。在典型的ALD過程中，至少兩個氣相前體被順序地脈沖到襯底所在的反應(yīng)空間中。一個示例是使用三甲基鋁（TMA）加水蒸氣（H2O）來生長氧化鋁（Al2O3）。一個完整的序列（或循環(huán)）由一系列脈沖和吹掃步驟組成。通過吹掃步驟將脈沖步驟分開，以從脈沖之間的反應(yīng)空間中除去任何殘留的前體和/或揮發(fā)性反應(yīng)副產(chǎn)物。加工的限制條件是180°C加熱，并且每個周期的薄膜厚度只能緩慢增長0.04nm至0.10nm。ALD膜的保形度非常接近2000：1的長寬比，因此在特征上具有出色的臺階覆蓋率。該過程是可重復(fù)的，并且可以預(yù)期地在10nm的厚度下生長更薄的層。我們的薄膜包括氧化鋁（AL2O3），氧化Ha（HfO2）和氧化鈦（TiO2）。近年來，其在半導(dǎo)體行業(yè)中的應(yīng)用使ALD快速發(fā)展，以開發(fā)薄的高K柵極電介質(zhì)層。我們的薄膜包括氧化鋁（AL2O3），氧化Ha（HfO2）和氧化鈦（TiO2）。近年來，其在半導(dǎo)體行業(yè)中的應(yīng)用使ALD快速發(fā)展，以開發(fā)薄的高K柵極電介質(zhì)層。我們的薄膜包括氧化鋁（AL2O3），氧化Ha（HfO2）和氧化鈦（TiO2）。近年來，其在半導(dǎo)體行業(yè)中的應(yīng)用使ALD快速發(fā)展，以開發(fā)薄的高K柵極電介質(zhì)層。

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PECVD膜沉積

等離子增強化學(xué)氣相沉積是通過在平行電極（接地電極和射頻激勵電極）之間引入反應(yīng)氣體來實現(xiàn)的過程。電極之間的電容耦合將反應(yīng)氣體激發(fā)到等離子體中，從而引發(fā)化學(xué)反應(yīng)并導(dǎo)致反應(yīng)產(chǎn)物沉積在基板上。通常將放置在接地電極上的基板在1 Torr的中壓下加熱到350℃。PECVD工藝提供了良好的功能覆蓋范圍。我們的薄膜包括二氧化硅（SiO2），氮化硅（Si3N4）和低應(yīng)力氮氧化物（SiON）薄膜。PECVD膜比ALD具有更大的靈活性，并具有更高的沉積速率，從而帶來了更高的產(chǎn)量。

當(dāng)前的泄漏量0-10v結(jié)果：各種50nm介電膜類型

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濺射膜沉積

濺射沉積（通常稱為濺射）從固體靶材的表面去除原子/分子，將它們投射到氣相中，然后從氣相中凝結(jié)到另一個表面上。磁控濺射是一種基于等離子體的涂覆方法，其中來自磁約束等離子體的帶正電的高能離子與帶負(fù)電的靶材發(fā)生碰撞，從而從靶材射出（或“濺射”）原子，然后將其沉積到基板上。我們的磁控濺射系統(tǒng)使用DC或RF濺射，并使用可互換的3英寸靶材，靶材多種金屬和介電材料?？梢允褂迷籖F偏壓進(jìn)行基板清洗的氬濺射。與蒸發(fā)相比，這種涂覆方法更致密，更保形。我們還提供添加反應(yīng)氣體的功能。

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金屬膜沉積

電子束蒸發(fā)源包括通過使用高能電子束蒸發(fā)基礎(chǔ)材料的成分。電子束通過使用磁場聚焦到目標(biāo)材料上，并且電子轟擊產(chǎn)生足夠的熱量，以蒸發(fā)具有很高熔點的各種材料。在常規(guī)的電子束蒸發(fā)下，將腔室壓力降至盡可能低的水平，以防止背景氣體與膠片處理發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。這種涂覆方法是視線沉積法，有利于剝離工藝，但側(cè)壁輪廓覆蓋率有限。eBeam蒸發(fā)提供了許多材料選擇，包括金屬和介電類型的材料。這種蒸發(fā)技術(shù)將提供多種用途，包括剝離，歐姆，絕緣，導(dǎo)電和光學(xué)的。我們的四個袋式旋轉(zhuǎn)袋式氣源可在蒸發(fā)器上進(jìn)行多層沉積。

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熱蒸發(fā)沉積

熱蒸發(fā)是使用氣態(tài)介質(zhì)在表面上沉積一層薄材料的最常見方法之一。該過程涉及在真空室內(nèi)加熱材料，直到其外部的原子具有足夠的能量離開表面。然后，原子在真空下蒸發(fā)，從而在該過程中覆蓋位于蒸發(fā)材料上方的基板。利用電阻舟或線圈，電流流經(jīng)帶有大“凹痕”的寬金屬帶，并在其中放置材料顆粒。隨著碳帶中電流的升高，“舟”變得越來越熱，直到顆粒熔化并蒸發(fā)，從而覆蓋所需的表面。這種蒸發(fā)將蒸發(fā)掉鉻（Cr），鍺（Ge）或金（Au）等材料。

聚對二甲苯聚合物沉積

聚對二甲苯聚合物的沉積發(fā)生在分子水平上，在該水平上，薄膜基本上一次“生長”一個分子。將固體，顆粒狀原料（稱為二聚體）在真空下加熱并蒸發(fā)成二聚氣體。然后將氣體熱解以將二聚體裂解成其單體形式。在室溫沉積室中，單體氣體以薄的透明聚合物膜形式沉積在所有表面上。由于聚對二甲苯是作為氣體施加的，因此涂層可以輕松穿透多層組件上的縫隙和狹窄區(qū)域，從而提供完整而均勻的封裝。聚對二甲苯涂層是透明的。但是，除了烷基化的聚對二甲苯之外，它們不是無定形的。結(jié)果，由于涂層是半結(jié)晶的，它們使光散射。聚對二甲苯C具有電和物理性質(zhì)的有用組合，

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