關(guān)于舉辦“第一性原理計(jì)算方法及應(yīng)用”線上+線下實(shí)戰(zhàn)培訓(xùn)的通知

各有關(guān)單位：

材料基因工程是近年來國際材料領(lǐng)域興起的顛覆性前沿技術(shù)，隨著國內(nèi)計(jì)算機(jī)技術(shù)的快速發(fā)展，多尺度材料模擬計(jì)算成為材料研究中不可或缺的一部分。計(jì)算材料學(xué)主要致力于建立可預(yù)測(cè)或可描述的模型，以幫助研究材料的內(nèi)在機(jī)理并減少新材料開發(fā)的時(shí)間和成本。VASP是目前材料微觀反應(yīng)機(jī)理和計(jì)算材料電子結(jié)構(gòu)性質(zhì)科學(xué)研究中最流行的一款軟件，它可以處理金屬及其氧化物、半導(dǎo)體、晶體、摻雜體系、納米材料、分子、團(tuán)簇、表面體系和界面體系等。

為全力做好教育系統(tǒng)新型冠狀病毒感染的肺炎疫情防控工作，確保廣大師生的身體健康和生命安全，根據(jù)中央有關(guān)精神以及教育部《關(guān)于2020年春季學(xué)期延期開學(xué)的通知》，各級(jí)教育主管部門也紛紛提出將通過開展網(wǎng)絡(luò)教學(xué)，確保“停課不停教、不停學(xué)”。應(yīng)廣大技術(shù)工作者要求，北京軟研國際信息技術(shù)研究院特舉辦“第一性原理計(jì)算方法及應(yīng)用”線上+線下實(shí)戰(zhàn)培訓(xùn)班，本次培訓(xùn)由互動(dòng)派（北京）教育科技有限公司具體承辦，具體相關(guān)事宜通知如下：

一、培訓(xùn)目標(biāo)：

1、本次課程共計(jì)5天，采用“3+2”教學(xué)體系，2天在線教學(xué)及3天線下實(shí)訓(xùn)；內(nèi)容從基礎(chǔ)到實(shí)戰(zhàn)共分為四個(gè)模塊：一是VASP基本原理及計(jì)算準(zhǔn)備；二是參數(shù)相關(guān)設(shè)置技巧及參數(shù)收斂性測(cè)試；三是材料計(jì)算實(shí)戰(zhàn)應(yīng)用專題；四是關(guān)于催化反應(yīng)計(jì)算實(shí)戰(zhàn)應(yīng)用專題。分別為模擬入門、進(jìn)階提升的學(xué)員所準(zhǔn)備；

2、小班授課，對(duì)知識(shí)進(jìn)行由淺入深，層層遞進(jìn)，系統(tǒng)講解，配合案例解析邊講邊練，讓學(xué)員能運(yùn)用模擬軟件針對(duì)每個(gè)技術(shù)點(diǎn)進(jìn)行上機(jī)操作；在線學(xué)習(xí)后對(duì)學(xué)員提煉出的問題提供專業(yè)指導(dǎo)，從而更好地滿足學(xué)員不同方面的論文及實(shí)際科研需求；

二、時(shí)間地點(diǎn)：

2020年5月30日-31日????在線直播（授課2天）

2020年6月11日-14日 ????線下培訓(xùn)（第一天報(bào)道、授課3天）

三、報(bào)名費(fèi)用：?

每人￥3300元（含報(bào)名費(fèi)、培訓(xùn)費(fèi)、資料費(fèi)、證書費(fèi)）5月9日之前匯款優(yōu)惠400（名額有限），費(fèi)用提供用于報(bào)銷的正規(guī)機(jī)打發(fā)票及蓋有公章的紙質(zhì)通知文件；如需開具會(huì)議費(fèi)的單位請(qǐng)聯(lián)系招生老師要會(huì)議邀請(qǐng)函；? ?

四、聯(lián)系方式：

咨詢電話：18618288284? ? ? ? ? 聯(lián) 系 人:? ?唐老師 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?

報(bào)名郵箱：13167390675@163.com? ? 報(bào)名QQ:? 2720927402?微信：17800209174

【注】開課前一周會(huì)務(wù)組統(tǒng)一通知；開課前一天會(huì)將直播鏈接及上機(jī)賬號(hào)發(fā)至您郵箱或微信。如未收到請(qǐng)及時(shí)電話咨詢！

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ??“第一性原理計(jì)算方法及應(yīng)用”線上+線下實(shí)戰(zhàn)培訓(xùn)班課程內(nèi)容

一、VASP基本原理及計(jì)算準(zhǔn)備（基礎(chǔ)篇）

課程1?VASP原理及Linux入門基本介紹

1.1密度泛函理論和VASP基本原理簡介

1.2 Xshell遠(yuǎn)程登陸服務(wù)器的操作技術(shù)

1.3 Linux下常用命令(包含bash編程基礎(chǔ))

1.4 Linux下常用編譯器安裝方法

課程2?Linux常用命令與VASP輸入出輸出文件介紹

2.1 Linux常用命令(文本查找，批量提交任務(wù)，grep/sed/awk等)

2.2 VASP輸入輸出文件介紹(INCAR，KPOINTS，POSCAR，POTCAR，OUTCAR等)

2.3與VASP相關(guān)搭配常用輔助軟件介紹

課程3?VASP編譯安裝及結(jié)構(gòu)建模介紹

3.1VASP編譯安裝（vaspkit安裝，qvasp安裝及其它常用工具）

3.2?利用Materials Studio軟件或者數(shù)據(jù)庫建立乙醇分子模型和Si模型

3.3納米管搭建技巧，界面模型搭建技巧：晶格匹配

3.4 通用手繪計(jì)算模型技巧（專題）

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二、VASP相關(guān)參數(shù)置技巧及參數(shù)收斂性測(cè)試（升階篇）

課程4?VASP輸入參數(shù)設(shè)置技巧

4.1 INCAR參數(shù)的設(shè)置（ENCUT, ISIF, EDIFF, EDIFFG, HSE06, LDA+U，VDW等）

4.2 K點(diǎn)的設(shè)置方案?(Mesh, Line-Mode以及Rec直接標(biāo)注權(quán)重)

4.3贗勢(shì)的選擇及快速生成方法

課程5?VASP結(jié)構(gòu)優(yōu)化

5.1 晶體結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)置：通過實(shí)例Pt晶體優(yōu)化來了解VASP的參數(shù)設(shè)置

5.2 設(shè)置參數(shù)的最簡易方法，以及歸類、總結(jié)和技巧

5.3 自洽、非自洽、電荷密度文件、波函數(shù)文件、總能的相關(guān)解釋及用途。

課程6 VASP收斂性測(cè)試

6.1測(cè)試腳本的編寫及介紹 （測(cè)試的目的，意義）6.2 截?cái)嗄苁諗啃詼y(cè)試

6.3 K點(diǎn)收斂性測(cè)試6.4 其他收斂性測(cè)試（表面層數(shù)，sigma等）

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三、穩(wěn)定性、電子結(jié)構(gòu)、光學(xué)性質(zhì)、缺陷性質(zhì)（實(shí)戰(zhàn)篇：材料計(jì)算專題）

課程7 VASP材料理化性質(zhì)計(jì)算及結(jié)果分析

7.1 材料的穩(wěn)定性計(jì)算

7.1.1 熱力學(xué)穩(wěn)定性

7.1.1.1 相穩(wěn)定性

7.1.1.2 最優(yōu)分解路徑

7.1.2 動(dòng)力學(xué)穩(wěn)定性

7.1.2.1 0K聲子譜

7.1.2.2 有限溫度聲子譜

7.2 材料的電子結(jié)構(gòu)計(jì)算

7.2.1?能帶基礎(chǔ)知識(shí)介紹

7.2.2 CsPbI3能帶計(jì)算(PBE和HSE)與分析

7.2.3 CsPbI3態(tài)密度計(jì)算與分析

7.2.4 電子有效質(zhì)量計(jì)算

7.2.5 電荷密度與部分電荷密度

7.3 VASP光學(xué)性質(zhì)計(jì)算

7.3.1 CsPbI3的介電常數(shù)實(shí)部和虛部

7.3.2 CsPbI3的光吸收系數(shù)

7.3.3 CsPbI3的聯(lián)合態(tài)密度和躍遷矩陣元

7.3.4 CsPbI3的躍遷允許和躍遷禁阻分析?

7.4?VASP本征缺陷計(jì)算

7.4.1 CsPbI3的相圖

7.4.2 缺陷的轉(zhuǎn)變能級(jí)

7.4.3 缺陷的形成能

7.5?特殊體系的設(shè)置方案

??7.4.1 HSE06雜化泛函的設(shè)置方法

??7.4.2 強(qiáng)關(guān)聯(lián)體系的設(shè)置方法（LDA+U）

??7.4.3 GW0參數(shù)的設(shè)置

7.6 實(shí)例解析：Cs2AgInCl6和Cs2InBiCl6的熱穩(wěn)定性和光吸收性質(zhì)分析?

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四、吸附、過渡態(tài)以及電荷分析（實(shí)戰(zhàn)篇：催化反應(yīng)專題）

課程8?VASP表面催化反應(yīng)計(jì)算及結(jié)果分析

8.1 固體表面具有催化活性的本質(zhì)原因解析

8.2 基元反應(yīng)和復(fù)雜反應(yīng)在固體表面催化反應(yīng)研究中的關(guān)系

8.3?VASP表面吸附

CO吸附在Pt表面計(jì)算（吸附能模型和吸附能）

8.4?VASP電荷分析

8.4.1 電荷拆分

8.4.2?Bader電荷計(jì)算與結(jié)果處理

8.4.3 ELF計(jì)算與結(jié)果處理

8.5?VASP過渡態(tài)搜索

8.51 插點(diǎn)和過渡態(tài)搜索

8.52 頻率分析及零點(diǎn)能矯正方案

8.53 消虛頻的方法

8.6 實(shí)例解析：Pd(111)表面用H2催化消除NO的第一性原理研究

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