編輯-Z

IPW65R080CFDA英飛凌MOS管參數(shù)：

型號：IPW65R080CFDA

連續(xù)漏極電流（ID）：137A

功耗（Ptot）：391W

貯存溫度和工作結(jié)溫（Tstg，Tj）：-40 ~ 150℃

漏源擊穿電壓V(BR)DSS：650V

柵極閾值電壓V(GS)th：4V

零柵極電壓漏極電流（IDSS）：2uA

柵源漏電流（IGSS）：100nA

漏源導(dǎo)通電阻RDS(on)：0.072Ω

輸入電容（Ciss）：4440pF

輸出電容（Coss）：210pF

二極管正向電壓（VSD）：0.9V

反向恢復(fù)時間（trr）：180ns

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IPW65R080CFDA提供了快速開關(guān)SJ MOSFET的所有優(yōu)點，同時還提供了一個非?？焖俸蛨怨痰捏w二極管。這種極低的開關(guān)損耗、換向損耗和傳導(dǎo)損耗以及最高的穩(wěn)健性相結(jié)合，使得諧振開關(guān)應(yīng)用更可靠、更高效、更輕、更酷。

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IPW65R080CFDA特征：

超快體二極管

極高的換向堅固性

由于FOM Rdson*Qg和Eoss非常低，因此損失極低

易于使用/駕駛

符合AEC Q101

綠色包裝（符合RoHS標準），無鉛電鍍，模具化合物無鹵素

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IPW65R080CFDA應(yīng)用：

650V CoolMOS TM CFDA專為開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。

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強元芯電子原廠渠道代理各種車規(guī)級MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飛凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾賽斯：DS145-16A等。