編輯-Z

ASEMI中低壓MOS管18N20參數(shù)：

型號：18N20

漏極-源極電壓（VDS）：200V

柵源電壓（VGS）：±30V

漏極電流（ID）：18A

功耗（PD）：83W

儲存溫度（Tstg）：-55 to 150℃

靜態(tài)漏源導通電阻（RDS(ON)）：0.18Ω

二極管正向電壓（VSD）：1.5V

輸入電容（Ciss）：1080pF

二極管反向恢復時間（trr）：158us

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18N20封裝規(guī)格：

封裝：TO-252

總長度：9.5mm

本體長度：6.1mm

寬度：6.6mm

高度：2.3mm

腳間距：2.3mm

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18N20特征：

低固有電容。

出色的開關(guān)特性。

擴展安全操作區(qū)域。

無與倫比的門電荷：Qg=20nC（典型值）。

BVDSS=200V，ID=18A

RDS（開）:0.18? （最大值）@VG=10V

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